第五十二章 碳基芯片！（求点鲜花）

“轰！”
大厅内一下子就炸开了锅。
“下一代芯片？”
“用什么做材料？”
“碳？还是什么？”
“碳，那玩意我们研究过，有硬伤。最大的问题就是漏电率太高了。”
“之前我们在制备碳纳米管的同时，它会得到一定量的金属性碳纳米管。”
“而这些金属性的碳纳米管是没有栅控能力的，它是常开的。”
“不解决这个问题，碳基芯片永远比不硅基芯片！”
“大家听我说！”
台苏晨的声音传了过来。
会议室内的声音减小。
“我知道大家在疑惑什么。”
“下面我给大家讲解一下我的想法。”
“没错，我刚才已经听到下面有人说了。”
“下一代芯片就是用碳基芯片！”
“大家请看大屏幕。”
苏晨指了指大屏幕。
继续开口说道：
“大家知道，晶体管的参数有几个是比较重要的。”
“像器件尺寸，载流子迁移率，漏电率，阈值电压和良品率这些。”
“恰巧，几天前我做了实验，得出了一份很详细的数据。”
“碳基芯片的数据很是喜人。”
“第一我们来看，碳纳米管是比硅还要适合做小尺寸的器件的。硅尺寸缩小要和短沟道效应抗争，还涉及一定的tradeoff，”
“但是碳纳米管是没有这个问题的。”
“第二，碳纳米管的载流子迁移率远高于硅，因为碳纳米管是1维材料，是一根一根线，硅是体材料，是整个反型层导电。”
“等一下，小苏，我打断你一下。”
正在苏晨侃侃而谈的时候。
底下传过来一道声音把他打断了。
“什么问题？”
“关于载流子迁移率的问题，您前面说的都没错，但是后面漏了数据了。”
“根据我的团队做的实验，碳纳米管的实测电流还没有能到可以和硅竞争的水平。”
对于这个问题，苏晨早就有答案了。
“说得好。”
“这个问题我已经解决了，我创新了新的制作工艺。”
“我采取了性能超越同等栅长碳基cmos的制作工艺，完美的解决了这个问题。”
苏晨回答道。
“额，好吧，这个工艺我倒是没有听说过。”
“我就不发表结论了。”
提问问题的人做了下去。
苏晨继续介绍道：“第三。阀值电压，硅和碳纳米管的阀值电压都主要和栅金属选择有关，谈不优势。但是绝对不比硅差！”